FS50R12W2T7 & FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies FS50R12W2T7 and FS75R12W2T7 EasyPACK™ IGBT Modules are 1200V three-phase input rectifier Insulated Gate Bipolar Transistor Modules. Based on TRENCHSTOP™ IGBT7 and Emitter Controlled 7 diode technology, these devices provide strongly reduced losses and are highly controllable. These modules are specially optimized for industrial drive applications, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained with an operation overload temperature up to +175°C in the power module. 

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Prąd upływowy bramka–emiter Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 50 A sixpack IGBT module Czas realizacji 10 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 75 A sixpack IGBT module Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.55 V 65 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray