SiC Schottky Discrete Diodes

SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes feature near-zero switching loss and reduced heat dissipation, increasing efficiency and requiring smaller heatsinks. The SiC Schottky Discrete Diodes are easy to parallel with fast, temperature-independent switching. The SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes are designed for solar inverters, power supplies, motor drives, and charging station applications.

Wyniki: 30
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
SemiQ SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 12 A 650 V 1.42 V 120 A 2 uA - 55 C + 175 C Tube
SemiQ SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-3
Karta charakterystyki
N/A
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 15 A 1.2 kV 1.48 V 150 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube
SemiQ SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 40A 1200V TO-247-3
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 20 A 1.2 kV 1.54 V 210 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube
SemiQ SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 50A 650V TO-247-2
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 650 V 1.77 V 300 A 22 uA - 55 C + 175 C Tube
SemiQ SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 60A 1200V TO-247-3
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 30 A 1.2 kV 1.54 V 265 A 2 uA - 55 C + 175 C Tube