Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 200A
Karta charakterystyki
1 229Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 79 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 180A
Karta charakterystyki
2 076Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 28 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 180A
Karta charakterystyki
1 899Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 160A
Karta charakterystyki
1 863Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 56 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 160A
Karta charakterystyki
1 908Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
Karta charakterystyki
1 342Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 42 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
Karta charakterystyki
952Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 200A
Karta charakterystyki
1 945Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 56 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement