TGF2023 GaN HEMT Transistors

Qorvo TGF2023 GaN HEMT Transistors are discrete 1.25 to 20mm Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) High Electron Mobility Transistors (HEMT) which operate from DC-18 GHz. Each device is designed using Qorvo's proven 0.25um GaN production process. This process features advanced field plate techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions.

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 100
Wielokr.: 100

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 50
Wielokr.: 50

Die N-Channel