Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SIS178LDN-T1-GE3

Name: Vishay SIS178LDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIS178LDN-T1-GE3
Price: 4.86 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SIS178LDN-T1-GE3

Nr prod.:

SIS178LDN-T1-GE3

Produc.:

Vishay / Siliconix

Opis:

MOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 13.9A

Karta charakterystyki:

SIS178LDN-T1-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SIS178LDN-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 18 778

Stany magazynowe:: 18 778 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	4,86 zł	4,86 zł
	3,03 zł	30,30 zł
	2,00 zł	200,00 zł
	1,58 zł	790,00 zł
	1,42 zł	1 420,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,30 zł	3 900,00 zł
	1,20 zł	7 200,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAK-1212-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	70 V
Id – Ciągły prąd drenu:	45.3 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	9.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	18.7 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	39 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay / Siliconix
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	6 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	40 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	6 ns
Seria:	SIS
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	20 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	10 ns
Jednostka masy:	1 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIS178LDN-T1-GE3 Karta charakterystyki

Technical Resources

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiS178LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFETs

Vishay / Siliconix SiS178LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFETs is offered in a PowerPAK® 1212-8 single package and implements TrenchFET® Gen IV technology. The SiS178LDN MOSFETs provide a very low R_DS x Q_g figure-of-merit (FOM). The Vishay / Siliconix SiS178LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFETs are designed for synchronous rectification, primary-side switch, DC/DC converter, motor drive control, and load switch applications.