MCU1K4N95SH-TP

Micro Commercial Components (MCC)
833-MCU1K4N95SH-TP
MCU1K4N95SH-TP

Produc.:

Opis:
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,DPAK

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 2 490

Stany magazynowe:
2 490 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
9,59 zł 9,59 zł
6,15 zł 61,50 zł
4,18 zł 418,00 zł
3,48 zł 1 740,00 zł
3,06 zł 3 060,00 zł
3,01 zł 7 525,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 5000)
3,01 zł 15 050,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Micro Commercial Components (MCC)
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252-4
N-Channel
1 Channel
950 V
5 A
1.49 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
16 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marka: Micro Commercial Components (MCC)
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 26 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 15 ns
Wielkość opakowania producenta: 5000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 19 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 22 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Tranzystory mocy MOSFET MCU1K4N95SH Super-Junction z kanałem typu N

Tranzystor mocy MOSFET MCU1K4N95SH Super-Junction z  kanałem typu firmy Micro Commercial Components (MCC) doskonale spełnia wyzwania projektowe dotyczącymi wysokiego napięcia. Ten tranzystor MOSFET typu Super-Junction (SJ) charakteryzuje się niskim ładunkiem bramka-dren, co znacznie zmniejsza straty przewodzenia i zwiększa ogólną wydajność. Technologia SJ i rezystancja w stanie przewodzenia wynosząca 1,49 Ω pozwalają projektować urządzenia o wyższym napięciu znamionowym bez uszczerbku dla wydajności. Obudowa DPAK (TO-252) dodatkowo zwiększa wszechstronność tranzystorów MOSFET, dzięki czemu nadają się one idealnie do zasilaczy AC-DC, oświetlenia LED, ładowarek, urządzeń solarnych/energetycznych i innych zastosowań wysokonapięciowych w wielu branżach.