SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure to reduce ON resistance by 50% and input capacitance by 35% over planar-type SiC MOSFETs. The MOSFETs include an additional pin that separates the driver and power source pins, eliminating the inductance component's effects in reducing Vgs, ensuring faster switching speeds. The ROHM Semiconductor Trench-Type MOSFETs feature a high voltage resistance, low ON resistance, fast switching speed, simple to drive, and easy to parallel.

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-263-7L
Karta charakterystyki
1 757Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-263-7L
Karta charakterystyki
500Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 650V 70A N-CH SIC
Karta charakterystyki
978Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 120mO 3rd Gen TO-263-7L
Karta charakterystyki
2 773Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO263 1.2KV 30A N-CH SIC
Karta charakterystyki
399Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L
Karta charakterystyki
1 926Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80mO 3rd Gen TO-263-7L
Karta charakterystyki
855Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 105mO 3rd Gen TO-263-7L
Karta charakterystyki
766Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 23 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 125 W Enhancement