Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RRQ045P03HZGTR

Name: ROHM Semiconductor RRQ045P03HZGTR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RRQ045P03HZGTR
Price: 6.97 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RRQ045P03HZGTR

Nr prod.:

RRQ045P03HZGTR

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs AECQ

Karta charakterystyki:

RRQ045P03HZGTR Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RRQ045P03HZGTR

Na stanie magazynowym: 5 870

Stany magazynowe:: 5 870 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6,97 zł	6,97 zł
	4,34 zł	43,40 zł
	2,98 zł	298,00 zł
	2,36 zł	1 180,00 zł
	2,18 zł	2 180,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	2,03 zł	6 090,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-457T-6
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	30 V
Id – Ciągły prąd drenu:	4.5 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	35 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	14 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1.25 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	TH
Czas zanikania:	65 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	3.5 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	35 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	Small Signal MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	110 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	10 ns
Nazwy umowne nr części:	RRQ045P03HZG

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RRQ045P03HZGTR Karta charakterystyki

Other

Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

RoHS (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RRQ045P03HZG P-Channel -30V -4.5A MOSFET

ROHM Semiconductor RRQ045P03HZG P-Channel -30V -4.5A MOSFET is a low on-resistance device housed in a small surface-mount package (TSMT6). The RRQ045P03HZG features a built-in G-S protection diode, Pb-free plating, and is RoHS compliant. The MOSFETs are also AEC-Q101 qualified.