SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor® SiC (Silicon Carbide) Schottky Barrier Diodes feature low total capacitive (Qc) that reduces switching loss, enabling high-speed switching operation. In addition, unlike silicon-based fast recovery diodes where the trr increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance. These devices are ideal for use as key devices in a variety of applications, including inverters and chargers for EVs and solar power conditioners.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 44
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
977Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FM-2
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
971Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACGE-2
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
2 234Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FM-2
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
782Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
1 011Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
Karta charakterystyki
561Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
232Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes RECT 650V 30A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
181Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 30A, 2nd Gen
Karta charakterystyki
614Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247
Karta charakterystyki
490Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
54Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 08.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
1 646Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 30A, 2nd Gen
Karta charakterystyki
87Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 450m 2nd Gen TO-247
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
78Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 04.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 15A 100W TO-263AB (LPTL)
Karta charakterystyki
44Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SIC SBD 650V 20A 125W TO-263AB (LPTL)
Karta charakterystyki
1 000Oczekiwane: 25.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs TO247 1.2KV 14A N-CH SIC
Karta charakterystyki
898Oczekiwane: 30.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 280m 2nd Gen TO-247
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
450Oczekiwane: 30.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 2nd Gen TO-247
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3