FGH4L40Tx 1200V/40A Field Stop Power IGBTs

onsemi FGH4L40Tx 1200V/40A Field Stop Power Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are engineered for high-efficiency switching in demanding power applications. These IGBTs feature low conduction and switching losses, ideal for use in motor drives, Uninterruptible Power Supply (UPS) systems, and renewable energy inverters. With robust short-circuit capability and soft switching performance, the IGBTs support high-frequency operation while maintaining thermal stability. The optimized design of the onsemi Field Stop technology-based FGH4L40Tx IGBTs enable reliable performance in both hard- and soft-switching topologies, helping designers meet stringent efficiency and power density requirements in industrial and energy-focused systems.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
onsemi IGBTs FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 4L COPACK
Karta charakterystyki
443Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.49 V 30 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGH4L40T120RWD Tube
onsemi IGBTs 1200V/40A FS7 IGBT NSCR TO247
Karta charakterystyki
428Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole SIngle 1.2 kV 1.65 V 20 V 80 A 384 W - 55 C + 175 C FGH4L40T120SWD Tube

onsemi IGBTs IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
Karta charakterystyki
384Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.55 V - 20 V, 20 V 80 A 306 W - 55 C + 175 C FGH4L40T120LQD Tube