DMN1057UCA3-7

Diodes Incorporated
621-DMN1057UCA3-7
DMN1057UCA3-7

Produc.:

Opis:
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607-3 T&R 10K

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 3 989

Stany magazynowe:
3 989 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
1,74 zł 1,74 zł
1,29 zł 12,90 zł
0,727 zł 72,70 zł
0,49 zł 245,00 zł
0,374 zł 374,00 zł
0,331 zł 827,50 zł
0,288 zł 1 440,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 10000)
0,262 zł 2 620,00 zł
0,237 zł 4 740,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Diodes Incorporated
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
X4-DSN0607-3
N-Channel
1 Channel
12 V
4.6 A
102 mOhms
8 V
1.3 V
1.47 nC
- 55 C
+ 150 C
1.81 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Diodes Incorporated
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 9.8 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 12.7 ns
Wielkość opakowania producenta: 10000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 20 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 2.6 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

DMN1057UCA3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMN1057UCA3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and is ideal for high-efficiency power management applications. This MOSFET features low gate charge and low gate-to-drain charge for a fast switching performance. The DMN1057UCA3 MOSFET features a compact and ultra-low-profile design with a height of just 0.26mm, making it ideal for space-constrained applications. This MOSFET offers power dissipation of up to 1.81W and thermal resistance of up to 198.6°C/W. The DMN1057UCA3 N-channel MOSFET is used in battery management, load switches, and battery protection applications.