Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SIZ254DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ254DT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZ254DT-T1-GE3
Price: 6.49 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SIZ254DT-T1-GE3

Nr prod.:

SIZ254DT-T1-GE3

Produc.:

Vishay / Siliconix

Opis:

MOSFETs PPAIR3X3 2NCH 70V 11.7A

Karta charakterystyki:

SIZ254DT-T1-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SIZ254DT-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 7 777

Stany magazynowe:: 7 777 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 3 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	6,49 zł	6,49 zł
	4,11 zł	41,10 zł
	2,75 zł	275,00 zł
	2,17 zł	1 085,00 zł
	1,99 zł	1 990,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,78 zł	5 340,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PowerPAIR-3x3S-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	70 V
Id – Ciągły prąd drenu:	32.5 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	16.1 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.4 V
Qg – ładunek bramki:	13 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	33 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay / Siliconix
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	CN
Czas zanikania:	5 ns, 6 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	45 S, 50 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	6 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	23 ns, 24 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12 ns
Jednostka masy:	143,050 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SIZ254DT-T1-GE3 Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiZ254DT Dual N-Channel 70V (D-S) MOSFETs

Vishay / Siliconix SiZ254DT Dual N-Channel 70V (D-S) MOSFETs are TrenchFET^® Gen IV power MOSFETs. The SiZ254DT 70V MOSFETs have an integrated MOSFET half-bridge power stage and have an optimized Q_gs/Q_gs ratio that improves switching characteristics. The Vishay / Siliconix SiZ254DT Dual MOSFETs are ideal for POL, synchronous buck converter, telecom DC/DC, resonant converters, and motor drive control applications.