DS28E80Q+T

Analog Devices / Maxim Integrated
700-DS28E80Q+T
DS28E80Q+T

Produc.:

Opis:
EEPROM 2KB RAD TOL 1-W FTP MEM TDFN T&R

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 3 748

Stany magazynowe:
3 748 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
19 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
10,71 zł 10,71 zł
9,68 zł 96,80 zł
9,46 zł 236,50 zł
9,20 zł 460,00 zł
8,99 zł 899,00 zł
8,69 zł 2 172,50 zł
8,51 zł 4 255,00 zł
8,43 zł 8 430,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
8,04 zł 20 100,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Analog Devices Inc.
Kategoria produktów: EEPROM
RoHS:  
2 kbit
1-Wire
256 x 8
TDFN-6
2.97 V
3.63 V
SMD/SMT
10 Year
- 40 C
+ 85 C
DS28E80
Reel
Cut Tape
MouseReel
Maksymalny odczyt aktywnego prądu: 12 mA
Marka: Analog Devices / Maxim Integrated
Napięcie robocze zasilania: 3.3 V
Rodzaj produktu: EEPROM
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: Memory & Data Storage
Prąd zasilania – max.: 12 mA
Jednostka masy: 50 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8542327500
CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
JPHTS:
854232039
KRHTS:
8542321090
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DS28E80 1-Wire Memory Chip

Analog Devices Inc. DS28E80 is a user-programmable nonvolatile memory chip. In contrast to the floating-gate storage cells, the DS28E80 employs a storage cell technology that is resistant to gamma radiation. It has 248 bytes of user memory that are organized in blocks of 8 bytes. Individual blocks can be write-protected. Each memory block can be written eight times. The ADI DS28E80 communicates over the single-contact 1-Wire® bus at standard speed or overdrive speed. Each device has its own guaranteed unique 64-bit registration number that is factory programmed into the chip. The communication follows the 1-Wire protocol with a 64-bit registration number acting as node address in the case of a multiple-device 1-Wire network.