Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
onsemi MOSFETs PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL
Karta charakterystyki
9 702Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si WDFN-8 PowerTrench Reel, Cut Tape

onsemi MOSFETs PTNG 100V LOW Q32MOHM N-FET HE SO8FL
Karta charakterystyki
2 741Oczekiwane: 13.03.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 155 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V, 113A, 4.2mohm
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 27 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 113 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel