Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RQ3L060BGTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3L060BGTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3L060BGTB1
Price: 4.9 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RQ3L060BGTB1

Nr prod.:

RQ3L060BGTB1

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs HSMT8 N-CH 60V 15.5A

Karta charakterystyki:

RQ3L060BGTB1 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RQ3L060BGTB1

Na stanie magazynowym: 2 517

Stany magazynowe:: 2 517 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,90 zł	4,90 zł
	3,18 zł	31,80 zł
	2,17 zł	217,00 zł
	1,85 zł	925,00 zł
	1,69 zł	1 690,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,51 zł	4 530,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSMT-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	15.5 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	38 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	5.5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	14 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	4.8 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	4 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	4.3 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	18.5 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	7.4 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RQ3L060BGTB1 Karta charakterystyki

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

Tranzystor mocy MOSFET RQ3L060BG

Tranzystor mocy MOSFET RQ3L060BG firmy ROHM Semiconductor charakteryzuje się napięciem dren-źródło na poziomie 60 V (V_DSS) i ciągłym prądem drenu wynoszącym ±15,5 A. Ten N-kanałowy MOSFET charakteryzuje się niską rezystancją włączenia wynoszącą 38 mΩ (R_DS(on)) i rozpraszaniem mocy na poziomie 14 W. Tranzystor MOSFET RQ3L060BG działa w zakresie temperatur złącza roboczego od -55°C do +150°C i jest dostępny w wolnej od halogenu obudowie typu High-Power Small Mold Package (HSMT8). To urządzenie jest zgodne z dyrektywą RoHS i ma powłokę pozbawioną ołowiu. Typowe zastosowania obejmują przełączanie, napędy silnikowe i przetwornice DC/DC.