Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie

onsemi IGBTs IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
Karta charakterystyki
1 141Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 80 A 454 W - 55 C + 175 C NGTB40N120FL3 Tube

onsemi IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
Karta charakterystyki
641Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQDT Tube

onsemi IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
Karta charakterystyki
188Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi IGBTs IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
Karta charakterystyki
3Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 55 C + 175 C NGTB25N120FL3 Tube

onsemi IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
Karta charakterystyki
900Oczekiwane: 17.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQD Tube