RFVxBGE6STL Super Fast Recovery Diodes

ROHM Semiconductor RFVxBGE6STL Super Fast Recovery Diodes feature hyperfast recovery, ultra-low switching loss, and high current overload capacity. These recovery diodes operate at 1.6V to 2.8V forward voltage range and stored at -55°C to 150°C temperature range. The RFVxBGE6STL recovery diodes offer 600V repetitive peak reverse voltage, 600V reverse voltage, and 150°C junction temperature. These superfast recovery diodes are ideal for use in general rectification for PFC in continuous current mode.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Vr – napięcie wsteczne
If – prąd przewodzenia diody
Rodzaj
Konfiguracja
Vf – Napięcie przewodzenia
Max. udar prądowy
Ir – Prąd wsteczny
Czas regeneracji
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
ROHM Semiconductor Rectifiers Super Fast Recovery Diode
Karta charakterystyki
2 427Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT TO-252GE-3 600 V 5 A Super Fast Recovery Diode Single 2.8 V 60 A 10 uA 40 ns + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Rectifiers Super Fast Recovery Diode
Karta charakterystyki
2 433Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT TO-252GE-3 600 V 8 A Super Fast Recovery Diode Single 2.8 V 100 A 10 uA 45 ns + 150 C Reel, Cut Tape