NVXR22S90M2SPx EliteSiC Power Modules

onsemi NVXR22S90M2SPx EliteSiC Power Modules offer improved performance, efficiency, and power density in compact and compatible packaging. The onsemi NVXR22S90M2SPx modules feature a 900V SiC MOSFET in a six-pack configuration, with press-fit pins for easy assembly and enhanced reliability. The devices include an optimized pin-fin heatsink on the baseplate and utilize sintering technology for reliability and thermal efficiency. The module is designed to meet the AQG324 automotive standard.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Seria
Opakowanie
onsemi MOSFET Modules SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPB
Karta charakterystyki
4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W NVXR22S90M2SPB Tray
onsemi MOSFET Modules SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPC
Karta charakterystyki
3Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W NVXR22S90M2SPC Tray
onsemi MOSFET Modules SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPM 4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC SMD/SMT 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W Tray