FFSx0865B-F085 650V SiC Schottky Diodes

onsemi FFSx0865B-F085 650V 8A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSx0865B-F085 SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, reduced system size, and increased cost-effectiveness. The FFSx0865B-F085 650V, 8A SiC Schottky Diodes are available in a D2PAK-3 package.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Konfiguracja If – prąd przewodzenia diody Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne Vf – Napięcie przewodzenia Ifsm – prąd udarowy przewodzenia Ir – Prąd wsteczny Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Kwalifikacje Opakowanie
onsemi SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5 867Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

SMD/SMT D2PAK-2 Single 8 A 650 V 1.39 V 56 A 500 nA - 55 C + 175 C FFSB0865B-F085 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD GEN1.5 3 962Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Single 8 A 650 V 1.39 V 42 A 40 uA - 55 C + 175 C FFSD0865B-F085 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel