LMG2100R044RARR

Texas Instruments
595-LMG2100R044RARR
LMG2100R044RARR

Produc.:

Opis:
Gate Drivers 100-V 4.4-m? half-br idge GaN FET with i

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 5 182

Stany magazynowe:
5 182 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
33,67 zł 33,67 zł
23,05 zł 230,50 zł
18,40 zł 1 840,00 zł
16,60 zł 16 600,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
16,13 zł 40 325,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
SMD/SMT
VQFN-FCRLF-16
- 40 C
+ 125 C
LMG2100R044
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Wielkość opakowania producenta: 2500
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LMG2100R044 GaN Half-Bridge Power Stage

Texas Instruments LMG2100R044 GaN Half-Bridge Power Stage is a 90V continuous, 100V pulsed, 35A half-bridge power stage with integrated gate-driver and enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The LMG2100R044 combines two 100V GaN FETs driven by one high-frequency 90V GaN FET driver in a half-bridge configuration. The GaN FETs offer significant advantages for power conversion, such as zero reverse recovery and minimal input capacitance CISS and output capacitance COSS.