Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVXK2PR80WXT2

Name: onsemi NVXK2PR80WXT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2PR80WXT2
Price: 212.64 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVXK2PR80WXT2

Nr prod.:

NVXK2PR80WXT2

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFET Modules APM32 SIC POWER MODULE

Cykl życia:

Nowości w Mouser

Karta charakterystyki:

NVXK2PR80WXT2 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVXK2PR80WXT2

Na stanie magazynowym: 48

Stany magazynowe:: 48 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	212,64 zł	212,64 zł
	174,84 zł	1 748,40 zł
	155,10 zł	15 510,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	APM-32
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	4 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	31 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	116 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 15 V, + 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.3 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	208 W
Seria:	NVXK2PR80WXT2
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Full-Bridge
Czas zanikania:	9 ns
Wysokość:	5.8 mm
Długość:	44.2 mm
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	12 ns
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Power Module
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	21 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12 ns
Szerokość:	29 mm

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVXK2PR80WXT2 Karta charakterystyki

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVXK2PR80WXT2 Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2PR80WXT2 Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 80mΩ, and 31A full-bridge power module housed in a Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed for a low total module resistance. The NVXK2PR80WXT2 power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2PR80WXT2 SiC module's temperature sensing and the lowest thermal resistance make it ideal for DC-DC and onboard chargers in xEV applications.