Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVXK2PR80WXT2

Name: onsemi NVXK2PR80WXT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2PR80WXT2
Price: 207.33 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVXK2PR80WXT2

Nr prod.:

NVXK2PR80WXT2

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFET Modules APM32 SIC POWER MODULE

Karta charakterystyki:

NVXK2PR80WXT2 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVXK2PR80WXT2

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	APM-32
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	4 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	31 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	116 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 15 V, + 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.3 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	208 W
Seria:	NVXK2PR80WXT2
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Full-Bridge
Czas zanikania:	9 ns
Wysokość:	5.8 mm
Długość:	44.2 mm
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	12 ns
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Power Module
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	21 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	12 ns
Szerokość:	29 mm

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVXK2PR80WXT2 Karta charakterystyki (PDF)

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Chiny
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Electric Commercial Agricultural Vehicles (eCAVs)

onsemi Electric Commercial Agricultural Vehicles (eCAVs) are transforming modern agriculture, replacing diesel and gasoline engines with battery-electric, hybrid-electric, and range-extended drivetrains across tractors, harvesters, sprayers, loaders, utility and transport vehicles, and autonomous field robots. Advancements in lithium-ion and LFP batteries, government incentives, rising fuel and maintenance costs, and growing pressure to reduce emissions have helped drive the global eCAV market from $2 billion in 2025 to $4.63 billion by 2031, representing a 14.99% CAGR. The result is quieter, lower-maintenance machines that deliver instant torque, regenerative braking, and lower operating costs per hour.

NVXK2PR80WXT2 Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NVXK2PR80WXT2 Silicon Carbide (SiC) Module is a 1200V, 80mΩ, and 31A full-bridge power module housed in a Dual Inline Package (DIP). This SiC module is compactly designed for a low total module resistance. The NVXK2PR80WXT2 power module is automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. This power module is lead-free, ROHS, and UL94V-0 compliant. The NVXK2PR80WXT2 SiC module's temperature sensing and the lowest thermal resistance make it ideal for DC-DC and onboard chargers in xEV applications.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI

NXH011F120M3F2 SiC MOSFETs

Full-bridge EliteSiC MOSFET modules with 11mΩ on-resistance and 1200V rating.

Dowiedz się więcej

NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module

Features 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET full-bridge and a thermistor with Al₂O₃ DBC in an F1 package.

Dowiedz się więcej

NXH0xxP120M3F1 Silicone Carbide (SiC) Modules

Contains 8mΩ, 10mΩ, 15mΩ, and 30mΩ/1200V M3S MOSFETs based on half-bridge topology.

Dowiedz się więcej

NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules

Part of VE-Trac™ B2 SiC highly integrated power modules for EV/HEV traction inverter applications.

Dowiedz się więcej

NXV08H350XT1 MOSFET Module

Compactly designed, 2-phase, dual half bridge, 80V automotive power MOSFET module.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 4

Stany magazynowe:: 4

Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 60

Oczekiwane: 30.10.2026
Średni czas produkcji:: 46

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	207,33 zł	207,33 zł
	158,71 zł	1 587,10 zł

NVXK2PR80WXT2

Produc.: onsemi

Opis: MOSFET Modules APM32 SIC POWER MODULE

Specyfikacja

Dokumenty (1)

Karta charakterystyki

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

Electric Commercial Agricultural Vehicles (eCAVs)

NVXK2PR80WXT2 Silicon Carbide (SiC) Module

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY ONSEMI

Na stanie magazynowym: 4

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFET Modules APM32 SIC POWER MODULE

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI