Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NVBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D7N10MCTXG
Price: 27.59 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVBLS1D7N10MCTXG

Nr prod.:

NVBLS1D7N10MCTXG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs PTNG 100V STD TOLL

Karta charakterystyki:

NVBLS1D7N10MCTXG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVBLS1D7N10MCTXG

Na stanie magazynowym: 1 737

Stany magazynowe:: 1 737 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	27,59 zł	27,59 zł
	18,69 zł	186,90 zł
	13,61 zł	1 361,00 zł
	13,02 zł	6 510,00 zł
	12,26 zł	12 260,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	12,26 zł	24 520,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	H-PSOF-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	265 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.8 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	115 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	303 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerTrench
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	31 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	220 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	38 ns
Seria:	NVBLS1D7N10MC
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	76 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	48 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVBLS1D7N10MCTXG Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Filipiny
Kraj montażu:: Filipiny
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

NVBLS1D7N10MCTXG N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi NVBLS1D7N10MCTXG N-Channel PowerTrench^® MOSFET supplies a high thermal performance and low R_DS(on) to minimize conduction losses. The NVBLS1D7N10MCTXG is AEC-Q101 qualified and PPAP capable, ideal for automotive applications.