Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVMJST1D3N04CTXG

Name: onsemi NVMJST1D3N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJST1D3N04CTXG
Price: 10.02 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVMJST1D3N04CTXG

Nr prod.:

NVMJST1D3N04CTXG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

Karta charakterystyki:

NVMJST1D3N04CTXG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVMJST1D3N04CTXG

Na stanie magazynowym: 2 415

Stany magazynowe:: 2 415 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	10,02 zł	10,02 zł
	6,84 zł	68,40 zł
	5,81 zł	581,00 zł
	5,59 zł	2 795,00 zł
	5,46 zł	5 460,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	5,46 zł	16 380,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TCPAK-10
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	386 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.39 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.5 V
Qg – ładunek bramki:	65 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	375 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	9 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	145 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	47 ns
Seria:	NVMJST1D3N04C
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	36 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVMJST1D3N04CTXG Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMJST1D3N04C Power N-Ch MOSFET

onsemi NVMJST1D3N04C Power N-Ch MOSFET is available in a TCPAK5x7 package for compact, efficient designs and high thermal performance. The NVMJST1D3N04C is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. The onsemi NVMJST1D3N04C MOSFET is ideal for automotive applications requiring enhanced board-level reliability.