Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTTFS007P02P8

Name: onsemi NTTFS007P02P8
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS007P02P8
Price: 4.34 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTTFS007P02P8

Nr prod.:

NTTFS007P02P8

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs PT8P 20_8V FROM VANGUARD

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NTTFS007P02P8 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTTFS007P02P8

Na stanie magazynowym: 2 083

Stany magazynowe:: 2 083 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 24 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,34 zł	4,34 zł
	2,83 zł	28,30 zł
	2,34 zł	234,00 zł
	2,24 zł	1 120,00 zł
	2,17 zł	2 170,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,97 zł	5 910,00 zł
	1,92 zł	11 520,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PQFN-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	20 V
Id – Ciągły prąd drenu:	56 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	6.5 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	8 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1 V
Qg – ładunek bramki:	44 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	30 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	68 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	80 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	33 ns
Seria:	NTTFS007P02P8
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	119 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	19 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTTFS007P02P8 Karta charakterystyki

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

NTTFS007P02P8 P-Channel Low/Medium Voltage MOSFET

onsemi NTTFS007P02P8 P-Channel Low/Medium Voltage MOSFET is built using high-performance PowerTrench technology for extremely low R_DS(on)switching performance and ruggedness. This P-channel MOSFET offers high power and current-handling capabilities in a widely used surface-mount package. The NTTFS007P02P8 MOSFET features -20V drain to source voltage, ±8V gate to source voltage, 3.8°C/W thermal resistance, junction to case, and 4.5Ω gate resistance. This P-channel MOSFET is Pb-free, Halide-free, and RoHS compliant. Typical applications include load switch, battery management, power management, and reverse polarity protection.