Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IMZA65R083M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R083M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA65R083M1HXKS
Price: 25.63 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IMZA65R083M1HXKS

Nr prod.:

IMZA65R083M1HXKSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

Karta charakterystyki:

IMZA65R083M1HXKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IMZA65R083M1HXKSA1

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	25,63 zł	25,63 zł
	19,65 zł	196,50 zł
	12,34 zł	1 234,00 zł
	11,35 zł	5 448,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-4
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	26 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	111 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 23 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5.7 V
Qg – ładunek bramki:	19 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	104 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	Infineon Technologies
Opakowanie:	Tube
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Wielkość opakowania producenta:	240
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Nazwy umowne nr części:	IMZA65R083M1H SP005423798

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IMZA65R083M1HXKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.