STGAP2SiCD Galvanically Isolated Dual Gate Driver

STMicroelectronics STGAP2SiCD Galvanically Isolated 4A Dual Gate Driver is designed for galvanic isolation between each gate driving channel and the low voltage control and interface circuitry. The STGAP2SiCD gate driver is defined by 4A current capability and rail-to-rail outputs, ideal for mid and high power applications such as power conversion and industrial motor drivers inverters.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Seria
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Napięcie izolacji
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Czas propagacji – max.
Czas narastania
Czas zanikania
Opakowanie
STMicroelectronics Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
Karta charakterystyki
1 665Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

STGAP2SICS SMD/SMT SO-8W 5 kV - 40 C + 125 C 90 ns 30 ns 30 ns Tube
STMicroelectronics Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
Karta charakterystyki
1 507Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

STGAP2SICS SMD/SMT SO-8W 5 kV - 40 C + 125 C 90 ns 30 ns 30 ns Tube
STMicroelectronics Galvanically Isolated Gate Drivers Galvanically isolated 4 A dual gate driver
Karta charakterystyki
908Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT SO-36W 5 kV - 40 C + 150 C 90 ns 30 ns 30 ns Reel, Cut Tape, MouseReel