MTFC128GAVATTC-AIT

Micron
340-458156-TRAY
MTFC128GAVATTC-AIT

Produc.:

Opis:
Universal Flash Storage - UFS UFS 1Tbit 153/196 LFBGA IT

Cykl życia:
Weryfikacja statusu w fabryce:
Informacje dotyczące cyklu życia są niejednoznaczne. Zleć zapytanie ofertowe, aby zweryfikować dostępność tego numeru części u producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 430

Stany magazynowe:
430 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
53 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 430 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 430
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
164,91 zł 164,91 zł
163,83 zł 1 638,30 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Micron Technology
Kategoria produktów: Pamięci Universal Flash Storage – UFS
RoHS:  
128 GB
TLC
3.3 V
UFS 3.1
- 40 C
+ 95 C
LFBGA-153
13 mm x 11.5 mm x 1.3 mm
Tray
Aplikacja: Industrial
Marka: Micron
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Styl mocowania: SMD/SMT
Produkt: Universal Flash Storage - UFS
Rodzaj produktu: Universal Flash Storage (UFS)
Wielkość opakowania producenta: 1520
Napięcie zasilania – max.: 3.3 V
Napięcie zasilania – min.: 3.3 V
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542329090
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

176-Layer NAND Universal Flash Storage (UFS) 3.1

Micron 176-Layer NAND Universal Flash Storage (UFS) 3.1 is a lighting-fast Flash memory solution based on 3D Replacement Gate technology, optimized for high-end and flagship phones. The 175-layer UFS 3.1 unlocks 5G's potential with up to 75% faster sequential write and random read performance than the prior 96-layer generation, enabling downloads of two-hour 4K movies in as little as 9.6s. Micron 176-layer UFS 3.1 features a compact design ideal for the high capacity, small form factors required in mobile devices. Micron 176-layer NAND UFS 3.1 is offered in 128GB, 256GB, 512GB, 1TB, and 2TB capacities.