Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Vishay Semiconductors MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Karta charakterystyki
5 222Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 21 nC - 55 C + 150 C 17.8 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8
Karta charakterystyki
9 647Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 6.8 A, 11.4 A 11.5 mOhms, 18.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.8 nC, 11.6 nC - 55 C + 150 C 1.4 W, 2.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel