NVB190N65S3F

onsemi
863-NVB190N65S3F
NVB190N65S3F

Produc.:

Opis:
MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi NVB190N65S3F

Na stanie magazynowym: 2 820

Stany magazynowe:
2 820 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
17,76 zł 17,76 zł
12,04 zł 120,40 zł
8,56 zł 856,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
7,57 zł 6 056,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
190 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
34 nC
- 55 C
+ 150 C
162 W
Enhancement
SuperFET III
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: onsemi
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 3 ns
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 13 ns
Seria: SuperFET3
Wielkość opakowania producenta: 800
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 43 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 19 ns
Jednostka masy: 4 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

PCN

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

SUPERFET III® 650V N-Channel MOSFET

onsemi SUPERFET III® 650V 190mΩ N-Channel MOSFET is ideal for various power systems for miniaturization and higher efficiency. The device utilizes charge balance technology for low on-resistance and lower gate-charge performance. The technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. SUPERFET III® 650V 190mΩ N-Channel MOSFETs are ideal for automotive onboard chargers and DC/DC converters for hybrid electric vehicles.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.