StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs are N-channel, normal level, and 100% avalanche tested MOSFETs. The Infineon StrongIRFET 2 MOSFETs are optimized for a wide range of applications. The MOSFETs offer a VDS range of 80V to 100V and an RDS(on) from 2.4mΩ to 8.2mΩ.

Wyniki: 74
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Karta charakterystyki
4 246Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 282 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IR FET UP TO 60V
Karta charakterystyki
2 799Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 128 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 95 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Karta charakterystyki
1 368Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Karta charakterystyki
1 417Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Karta charakterystyki
3 987Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
Karta charakterystyki
2 949Na stanie magazynowym
1 600Oczekiwane: 12.11.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 426 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 300 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET
Karta charakterystyki
3 008Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 208 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 135 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Karta charakterystyki
19Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Karta charakterystyki
489Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 107 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Karta charakterystyki
961Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 19.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 119 A 3.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Karta charakterystyki
911Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Karta charakterystyki
544Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Karta charakterystyki
53Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 187 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Karta charakterystyki
124Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 166 A 1.95 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Karta charakterystyki
104Na stanie magazynowym
2 400Oczekiwane: 07.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 135 A 4.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Karta charakterystyki
415Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 259 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Karta charakterystyki
568Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 191 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Karta charakterystyki
519Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 28.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 182 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W
Karta charakterystyki
953Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 18.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 123 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 93 nC - 55 C + 175 C 99 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Karta charakterystyki
2 000Oczekiwane: 24.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 196 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W
Karta charakterystyki
2 998Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 135 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 40V
Karta charakterystyki
799Oczekiwane: 27.08.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 191 A 1.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 94 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 18 tygodni
Min.: 800
Wielokr.: 800
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel