Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NTBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D7N10MCTXG
Price: 28.55 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTBLS1D7N10MCTXG

Nr prod.:

NTBLS1D7N10MCTXG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs PTNG 100V STD TOLL

Karta charakterystyki:

NTBLS1D7N10MCTXG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTBLS1D7N10MCTXG

Na stanie magazynowym: 1 942

Stany magazynowe:: 1 942 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	28,55 zł	28,55 zł
	19,48 zł	194,80 zł
	14,92 zł	1 492,00 zł
	14,02 zł	14 020,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	13,89 zł	27 780,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	100 V
Id – Ciągły prąd drenu:	272 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.8 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	115 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	295 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	31 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	220 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	38 ns
Seria:	NTBLS1D7N10MC
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	76 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	48 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTBLS1D7N10MCTXG Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTBLS1D7N10MC Single N-Channel MOSFET

onsemi NTBLS1D7N10MC Single N-Channel MOSFET has a low R_DS(on) and minimizes conduction losses, ensuring efficient power management. The onsemi NTBLS1D7N10MC boasts low Qg and capacitance, enhancing switching speed and reducing energy dissipation. Including a softer recovery diode further contributes to improved performance by minimizing switching noise and potential electromagnetic interference. The NTBLS1D7N10MC is Pb-free, aligning with modern manufacturing standards and regulations.