Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
Toshiba MOSFETs UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
1 560Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
3 703Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
1 308Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 6.3 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 125 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.2 mOhms 100 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel