EasyDUAL™ 1B IGBT Modules

Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B IGBT Modules with CoolSiC™ MOSFETs deliver very low stray inductance and outstanding efficiency enabling higher frequencies, increased power density, and reduced cooling requirements. The 1200V, 8mΩ half-bridge modules feature an integrated NTC temperature sensor and PressFIT contact technology. Thermal interface material is available on the xHP_B11 variants. These devices feature 0 to 5V and +15V to +18V recommended gate drive voltage ranges, maximum gate-source voltages of +23V or -10V, and 17mΩ or 33mΩ drain-source on resistance options. Integrated mounting clamps provide rugged mounting assurance.

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Rodzaj
Technologia
Seria
Opakowanie
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Karta charakterystyki
402Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules EASY
Karta charakterystyki
48Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Karta charakterystyki
3Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Karta charakterystyki
8Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Karta charakterystyki
22Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Karta charakterystyki
29Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Discrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V
Karta charakterystyki
36Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Half Bridge Si M1H Tray