MMFTP3334K P-Channel Enhancement Mode FET

Diotec Semiconductor MMFTP3334K P-Channel Enhancement Mode FET offers fast switching times, high drain current (4A maximum), and low on-state resistance in a SOT-23 (TO-236) package. The MMFTP3334K FET features a 30V maximum drain-source voltage, 1000mW maximum power dissipation, and 5.9nC typical total gate charge in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET is ideal for signal processing, drivers, and logic-level converters.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, SOT-23, -30V, -4A, 150C, P
Karta charakterystyki
7 194Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SOT-23 MMFTP3334K Reel, Cut Tape
Diotec Semiconductor MOSFETs MOSFET, SOT-23, -30V, -4A, 150C, P, AEC-Q101
Karta charakterystyki
5 867Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MMFTP3334K-AQ Reel, Cut Tape, MouseReel