Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

FF06MR12A04MA2AKSA1

Name: Infineon FF06MR12A04MA2AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF06MR12A04MA2AK
Price: 865.03 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-FF06MR12A04MA2AK

Nr prod.:

FF06MR12A04MA2AKSA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

Discrete Semiconductor Modules HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

FF06MR12A04MA2AKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies FF06MR12A04MA2AKSA1

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 120
Średni czas produkcji:: 44

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	865,03 zł	865,03 zł
	737,28 zł	7 372,80 zł
120	Oferta

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Moduły półprzewodnikowe dyskretne
RoHS:
Produkt:	Modules
Rodzaj:	1 N-Channel
Technologia:	SiC
Vf – Napięcie przewodzenia:	5.15 V
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 5 V, + 20 V
Styl mocowania:	Press Fit
Opakowanie/obudowa:	HybridPACK
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Opakowanie:	Tube
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	53 ns
Id – Ciągły prąd drenu:	190 A
Rodzaj produktu:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On – rezystancja dren–źródło:	14.5 mOhms
Czas narastania:	25 ns
Wielkość opakowania producenta:	120
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Nazwa handlowa:	CoolSiC
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	228 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	32 ns
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.55 V
Nazwy umowne nr części:	FF06MR12A04MA2 SP005558866

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FF06MR12A04MA2AKSA1 Karta charakterystyki (PDF)

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

HybridPACK™ DSC S Modules with SiC MOSFET & NTC

Infineon Technologies HybridPACK™ DSC S Modules with SiC MOSFET and NTC are high-performance power modules designed for demanding automotive applications, particularly in hybrid and electric vehicles (xEVs). This compact half-bridge module integrates silicon carbide (SiC) MOSFETs and an NTC thermistor, enabling superior efficiency and thermal performance. With a blocking voltage of 1200V and a nominal current rating of 190A, the modules support high-speed switching with low conduction and switching losses, thanks to the inherent advantages of SiC technology.