Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FDB0250N807L

Name: onsemi FDB0250N807L
Brand: onsemi
SKU: 512-FDB0250N807L
Price: 25.91 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FDB0250N807L

Nr prod.:

FDB0250N807L

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

Karta charakterystyki:

FDB0250N807L Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	25,91 zł	25,91 zł
	17,30 zł	173,00 zł
	13,90 zł	1 390,00 zł
	12,35 zł	6 175,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
	10,96 zł	8 768,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-263-7
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	240 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	6 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V
Qg – ładunek bramki:	143 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	214 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerTrench
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	39 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	113 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	64 ns
Seria:	FDB0250N807L
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	79 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	45 ns
Jednostka masy:	1,600 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FDB0250N807L Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Korea Południowa
Kraj montażu:: Chiny
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

FDB0250N807L N-Channel MOSFET

onsemi FDB0250N807L N-Channel MOSFET uses the advanced PowerTrench^® process to minimize the on-state resistance. This process maintains superior ruggedness and switching performance for industrial applications. Features include fast switching speed, low gate charge, high power and current handling capability. The FDB0250N807L MOSFET is used in the industrial motor drives, power supplies, battery-operated tools, load switches, UPS, and energy inverters.