Tranzystory ASFET do topologii z powielaniem lawinowym

Tranzystory ASFET firmy Nexperia do topologii z powielaniem lawinowym oferują maksymalne napięcie dren-źródło od 40 VDS do 60 VDS, prąd drenu ID od 16 A do 40 A oraz ładunek bramka-dren QGD od 7,9 V. Tranzystory ASFET mają przyznany certyfikat AEC-Q101 umożliwiający ich pełne stosowanie w branży motoryzacyjnej oraz oferują wysoką wytrzymałość, niezawodność i technologię zacisków miedzianych LFPAK. Tranzystory ASFET firmy Nexperia do topologii z powielaniem lawinowym nadają się idealnie do stosowania w samochodowych układach o napięciu 12 V, 24 V i 48 V, do topologii z powielaniem lawinowym oraz do sterowania silnikami.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Nexperia MOSFETs BUK9K61-100L/SOT1205 /LFPAK56D 1 172Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 40A 1 273Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 24.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT SOT-1205-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 12.5 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 22.4 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 16A 1 831Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 55 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 5.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel