BGA5H1BN6E6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BGA5H1BN6E6327XT
BGA5H1BN6E6327XTSA1

Produc.:

Opis:
RF Amplifier RF MMIC SUB 3 GHZ

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o Infineon Technologies BGA5H1BN6E6327XTSA1

Na stanie magazynowym: 6 368

Stany magazynowe:
6 368 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
2,18 zł 2,18 zł
1,86 zł 18,60 zł
1,76 zł 44,00 zł
1,60 zł 160,00 zł
1,52 zł 380,00 zł
1,44 zł 720,00 zł
1,30 zł 1 300,00 zł
1,11 zł 4 440,00 zł
1,00 zł 8 000,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 12000)
1,00 zł 12 000,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Infineon
Kategoria produktów: Wzmacniacz RF
RoHS:  
2.3 GHz to 2.69 GHz
1.5 V to 3.6 V
8.5 mA
18 dB
0.7 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
TSNP-6
SiGe
- 16 dBm
- 6 dBm
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
Marka: Infineon Technologies
Tłumienność odbicia wejścia: 10 dB
Izolacja dB: 36 dB
Liczba kanałów: 1 Channel
Pd – strata mocy: 60 mW
Rodzaj produktu: RF Amplifier
Wielkość opakowania producenta: 12000
Podkategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Częstotliwość testowa: 2.5 GHz
Nazwy umowne nr części: BGA 5H1BN6 E6327 SP001777994
Jednostka masy: 0,830 mg
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542330000
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330201
ECCN:
EAR99

BGA5x1BN6 Low-noise Amplifiers

Infineon Technologies BGA5x1BN6 Amplifier product family includes +18dBm high-gain, low-noise amplifiers that cover the low (600-1000MHz) mid (1805-2200MHz), and high-band (2300-2690MHz) frequency ranges. Based on Infineon Technologies‘ B9HF Silicon Germanium technology, the BGA5x1BN6 Amplifiers operate from a 1.5V to 3.6V supply voltage and offer single-line two-state control.  The amplifiers provide excellent low-noise performance and competitive insertion-loss levels. Designers can easily enable BGA5x1BN6's off-state mode by powering down the VCC. Available in an ultra-small leadless package measuring only 0.7 x 1.1mm2, the BGA5x1BN6 Amplifiers are ideal for smartphones running on the LTE or GSM network.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.