Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Vishay Semiconductors MOSFET Modules MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Karta charakterystyki
314Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 32.6 mOhms - 8 V, 19 V 1.7 V - 55 C + 175 C 468 W
Vishay Semiconductors MOSFET Modules MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Karta charakterystyki
314Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 126 A 16.8 mOhms - 8 V, 19 V 2.5 V - 55 C + 175 C 535 W
Vishay Semiconductors MOSFET Modules MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Karta charakterystyki
148Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 127 A 12.1 mOhms - 8 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 750 W
Vishay Semiconductors MOSFET Modules MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Karta charakterystyki
160Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 43 mOhms - 4 V, 15 V 2.4 V - 55 C + 175 C 136 W
Vishay Semiconductors MOSFET Modules MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Karta charakterystyki
160Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 47 mOhms - 4 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 238 W