IR2114SSTRPBF
Zobacz specyfikację produktu
Produc.:
Opis:
Gate Drivers 600V Hlf Brdg Drvr IC for Pwr Swtch App
Na stanie magazynowym: 1 939
-
Stany magazynowe:
-
1 939 Wysylamy natychmiastWystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
-
Średni czas produkcji:
-
20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Cennik (PLN)
| Il. | Cena jednostkowa |
wewn. Cena
|
|---|---|---|
| Cut Tape / MouseReel™ | ||
| 17,03 zł | 17,03 zł | |
| 12,99 zł | 129,90 zł | |
| 11,95 zł | 298,75 zł | |
| 10,84 zł | 1 084,00 zł | |
| 10,28 zł | 2 570,00 zł | |
| 9,98 zł | 4 990,00 zł | |
| 9,68 zł | 9 680,00 zł | |
| Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000) | ||
| 9,46 zł | 18 920,00 zł | |
Alternatywne pakowanie
Karta charakterystyki
Application Notes
- Buffer Interface with Negative Gate Bias for Desat Protected HVICs used in High Power Applications (PDF)
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- High Current Buffer for Control IC's (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Short-Circuit Protection for Power Inverters (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542319090
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310030
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
Polska
