Si8481DB 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix Si8481DB 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET features low on-resistance and low 0.6mm (maximum) height. This power MOSFET is available in a single-configuration Micro Foot® package. Vishay / Siliconix Si8481DB 20V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFET operates in a -55°C to +150°C temperature range. Typical applications include load switches with low voltage drop, and power management in battery-operated, mobile, and wearable devices.

Nie znaleziono wyników.
Spróbuj zmodyfikować szukany termin poniżej lub odwiedź nasze Centrum pomocy.
Sugestie wyszukiwania
  • Sprawdzić pisownię numeru części lub słów kluczowych
  • Użyj mniejszej liczby słów kluczowych lub użyj innych słów
  • Wyszukiwanie jednorazowo 1 części
  • Zastosuj jednorazowo jeden filtr