High-Speed IGBT4 Power Modules

Microchip Technology High-Speed IGBT4 Power Modules feature low voltage drop, low leakage current, and low switching losses. These modules operate at 1200V collector-emitter voltage (VCES) and provide very low stray inductance, Kelvin emitter/source for an easy drive, and extended temperature range. The benefits of IGBT4 modules are high-efficiency converters, offer outstanding performance at high-frequency operation, low profile, and low junction-to-heatsink thermal resistance. These modules are used in applications like high-reliability power systems, AC switches, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, and motor control.

Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Prąd upływowy bramka–emiter Pd – strata mocy Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL3 12Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL1 9Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL2 7Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Modules Asymmetrical Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL1 9Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Modules Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL3 4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 160 A 150 nA 470 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL2 6Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Modules Double Dual Common Source 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT Modules PM-IGBT-SBD-BL2
3Oczekiwane: 09.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 2.4 V 110 A 150 nA 375 W - 55 C + 175 C