300V to 1200V IGBTs

Infineon 300-1200V IGBTs have an extensive portfolio of IGBTs that achieves the highest performance for specific application requirements. The Infineon IGBT portfolio includes the new ultra-fast IRG7PH 1200V Trench IGBTs that offer higher system efficiency while cutting switching losses and delivering higher switching frequencies. Infineon IRG7PH ultra-fast 1200V IGBTs utilize thin wafer Field-Stop Trench technology that significantly reduces switching and conduction losses to deliver higher power density and greater efficiency at higher frequencies.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Infineon Technologies IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 10A
Karta charakterystyki
250Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 24 A 110 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP IGBT Tube

Infineon Technologies IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
Karta charakterystyki
475Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 41 A 166 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube
Infineon Technologies IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 20A
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 41 A 166 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP IGBT Tube