U-MOSVIII MOSFETs

Toshiba U-MOSVIII MOSFETs combine low on-resistance and a low leakage current in a thin 3.3mm x 3.3mm x 0.9mm TSON Advance package. U-MOSVIII current ratings range from 43A to 100A, RDS(ON) (typical) from 3.5mΩ to 5.2mΩ, with an input capacitance from 1370pF to 2230pF (typical).

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Toshiba MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V
Karta charakterystyki
12 804Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 30 V 45 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 34 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 53 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 24 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch 30V 1370pF 24nC 6.3mOhm 43A 19W
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSON-Advance-8 N-Channel 1 Channel 30 V 43 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 24 nC - 55 C + 150 C 19 W Enhancement U-MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel