PMZB350UPE 20V P-Channel Trench MOSFET
Nexperia PMZB350UPE 20V P-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode field-effect transistor (FET) in a leadless, ultra-small DFN1006B-3 (SOT883B) surface-mounted device (SMD) plastic package. The device employs Trench MOSFET technology, has a low threshold voltage, provides very fast switching, and offers 1.8kV ESD protection. The Nexperia PMZB350UPE MOSFET is ideal for relay drivers, high-speed line drivers, high-side load switches, and switching circuits.
Nie znaleziono wyników.
Spróbuj zmodyfikować szukany termin poniżej lub odwiedź nasze Centrum pomocy.
Spróbuj zmodyfikować szukany termin poniżej lub odwiedź nasze Centrum pomocy.
Sugestie wyszukiwania
- Sprawdzić pisownię numeru części lub słów kluczowych
- Użyj mniejszej liczby słów kluczowych lub użyj innych słów
- Wyszukiwanie jednorazowo 1 części
- Zastosuj jednorazowo jeden filtr
