Wyniki: 10
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Karta charakterystyki
6 505Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 20 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Karta charakterystyki
14 785Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8-3 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 12.7 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Karta charakterystyki
2 689Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Karta charakterystyki
13 772Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.26 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Karta charakterystyki
3 778Na stanie magazynowym
25 000Oczekiwane: 09.07.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Karta charakterystyki
990Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 110 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Karta charakterystyki
7 617Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 119 A 3 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Karta charakterystyki
82Na stanie magazynowym
1 800Oczekiwane: 12.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 144 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Karta charakterystyki
3 892Oczekiwane: 19.11.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 76 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
Karta charakterystyki
4 944Oczekiwane: 19.03.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 166 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel