SIS176LDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIS176LDN-T1-GE3
SIS176LDN-T1-GE3

Produc.:

Opis:
MOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 12.9A

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 831

Stany magazynowe:
831
Wysylamy natychmiast
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
12 000
Oczekiwane: 19.03.2026
12 000
Oczekiwane: 14.01.2027
Średni czas produkcji:
24
tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
5,12 zł 5,12 zł
3,26 zł 32,60 zł
2,21 zł 221,00 zł
1,77 zł 885,00 zł
1,60 zł 1 600,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
1,41 zł 4 230,00 zł
1,38 zł 8 280,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Vishay
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK 1212-8
N-Channel
1 Channel
70 V
42.3 A
10.9 mOhms
- 12 V, 12 V
1.6 V
12.6 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Vishay / Siliconix
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 6 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 60 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 6 ns
Seria: SIS
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 25 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 10 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

POWERPAK® 1212 MOSFETs

Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETs are ideal for switching applications and boast a die-on resistance of approximately 1mΩ and can handle up to 85A. The Vishay POWERPAK 1212 introduces a packaging technology to mitigate the risk of degrading high-performance dies. This package offers ultra-low thermal impedance in a compact design, making it ideal for space-constrained applications.

SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFETs

Vishay / Siliconix SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFETs utilize TrenchFET® Gen IV power MOSFET technology. The SiS176LDN MOSFETs feature very low RDS Qg figure-of-merit (FOM) and are tuned for the lowest RDS Qoss FOM. The Vishay / Siliconix SiS176LDN N-Channel 70V (D-S) MOSFETs are ideal for synchronous rectification, primary-side switch, DC/DC converter, and motor drive switch applications.