Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NXH015F120M3F1PTG

Name: onsemi NXH015F120M3F1PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-XH015F120M3F1PTG
Price: 251.72 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-XH015F120M3F1PTG

Nr prod.:

NXH015F120M3F1PTG

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFET Modules 15M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NXH015F120M3F1PTG Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NXH015F120M3F1PTG

Na stanie magazynowym: 28

Stany magazynowe:: 28 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 19 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	251,72 zł	251,72 zł
	219,77 zł	2 197,70 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET
RoHS:
Technologia:	SiC
Styl mocowania:	Press Fit
Opakowanie/obudowa:	42.5 mm x 33.8 mm
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	77 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	19 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.4 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	198 W
Seria:	NXH015F120M3F1PTG
Opakowanie:	Tray
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Quad
Czas zanikania:	7.5 ns
Wysokość:	12 mm
Długość:	42.5 mm
Produkt:	MOSFET Modules
Rodzaj produktu:	MOSFET Modules
Czas narastania:	8.6 ns
Wielkość opakowania producenta:	28
Podkategoria:	Discrete and Power Modules
Rodzaj:	Full Bridge
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	103 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	33.3 ns
Vf – Napięcie przewodzenia:	4.67 V
Szerokość:	33.8 mm

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NXH015F120M3F1PTG Karta charakterystyki

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module features 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET full-bridge topology and a thermistor with Al₂O₃ DBC in an F1 package. This power module features at +22V/-10V gate source voltage, 77A continuous drain current @ T_C = 80°C (T_J = 175°C), 198W maximum power dissipation, and 12.7mm creepage distance. The NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFET comes with pre-applied Thermal Interface Material (TIM) and without pre-applied TIM. The SiC module is Pb-free, Halide-free, and RoHS compliant. Typical applications include a solar inverters, uninterruptible power supplies, electric vehicle charging stations, and industrial power.