BLS9G2731L LDMOS S-Band Radar Power Transistors

Ampleon BLS9G2731L LDMOS S-Band Radar Power Transistors are 400W LDMOS power transistors for S-band applications in the 2700MHz to 3100MHz frequency range. The Ampleon BLS9G2731L transistors deliver high efficiency, excellent thermal stability / ruggedness, and easy power control.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora
Technologia
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Rds On – rezystancja dren–źródło
Częstotliwość robocza
Wzmocnienie
Moc wyjściowa
Maksymalna temperatura robocza
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Opakowanie
Ampleon RF MOSFET Transistors BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 3.1 GHz 13 dB 400 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon RF MOSFET Transistors BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 60
Wielokr.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 3.1 GHz 13 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray