E Series High Voltage MOSFETs

Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific on-resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low on-resistance (RDS(ON)), low input capacitance (Ciss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Qg). E series MOSFETs are available in 800VDS high-voltage variants with drain current (ID) that ranges from 2.8A to 17.4A. Also, new Vishay Siliconix 600V E Series MOSFETs have been added to the PowerPAK® 8x8 surface mount package. Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.  

Wyniki: 39
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 600V 3 734Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 29 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO252 800V 8A N-CH MOSFET 4 768Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 600V 2 363Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 65 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 500V 19A N-CH MOSFET 1 990Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 500 V 19 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET 175Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 31.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-4 N-Channel 1 Channel 800 V 21 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 800V 8A N-CH MOSFET 1 038Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 28 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET 40Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 95 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET 277Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.4 A 820 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 500V 26A N-CH MOSFET
4 000Oczekiwane: 12.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 650V Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800
Si

Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 650V Niedostępne na stanie
Min.: 500
Wielokr.: 500
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 600V Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 600V Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 32A N-CH MOSFET Niedostępne na stanie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel